SI4842BDY-T1-E3 Альтернативные части: SI7149DP-T1-GE3

SI4842BDY-T1-E3Vishay Siliconix

В наличии: 2268

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
233.146484 ₽
233.10 ₽
10
219.949533 ₽
2,199.45 ₽
100
207.499505 ₽
20,750.00 ₽
500
195.754299 ₽
97,877.20 ₽
1000
184.673887 ₽
184,673.90 ₽

Цена за единицу: 233.146484 ₽

Итоговая цена: 233.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4842BDY-T1-E3	иSI7149DP-T1-GE3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R	VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	PowerPAK® SO-8
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	28A Tc	50A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3W Ta 6.25W Tc	69W Tc
Время отключения	38 ns	230 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2009	2013
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	5
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	4.2mOhm	5.2MOhm
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	20	40
Число контактов	8	8
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	6.25W	69W
Время задержки включения	125 ns	100 ns
Тип ТРВ	N-Channel	P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4.2m Ω @ 20A, 10V	5.2m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3650pF @ 15V	4590pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	100nC @ 10V	147nC @ 10V
Время подъема	190ns	150ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±25V
Время падения (тип)	13 ns	110 ns
Непрерывный ток стока (ID)	28A	23.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	25V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-20V
Номинальное Vgs	1.4 V	-
Высота	1.55mm	1.04mm
Длина	5mm	5.15mm
Ширина	4mm	6.15mm
REACH SVHC	Unknown	Unknown
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Код JESD-30	-	R-XDSO-C5
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Сокетная связка	-	DRAIN
Применение транзистора	-	SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V
Пороговое напряжение	-	-1.2V
Максимальный сливовой ток (ID)	-	50A
Максимальный импульсный ток вывода	-	70A
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	20 mJ
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4626ADY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
SI7149DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	PowerPAK® SO-8	VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V	Для сравнения