SI4654DY-T1-GE3 Альтернативные части: SI4626ADY-T1-E3

SI4654DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 1250

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
36.958036 ₽
36.95 ₽
10
34.866044 ₽
348.63 ₽
100
32.892555 ₽
3,289.29 ₽
500
31.030646 ₽
15,515.38 ₽
1000
29.274176 ₽
29,274.18 ₽

Цена за единицу: 36.958036 ₽

Итоговая цена: 36.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4654DY-T1-GE3	иSI4626ADY-T1-E3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC	MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	186.993455mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	28.6A Tc	30A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5.9W Tc	3W Ta 6W Tc
Время отключения	50 ns	45 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2014	2016
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	8	8
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	30 ns	44 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4m Ω @ 15A, 10V	3.3m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3770pF @ 15V	5370pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	100nC @ 10V	125nC @ 10V
Время подъема	10ns	21ns
Угол настройки (макс.)	±16V	±20V
Время падения (тип)	10 ns	18 ns
Непрерывный ток стока (ID)	18.6A	30A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	16V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.004Ohm	0.0033Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку	25V	-
Высота	1.5mm	1.55mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	14 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin
Распад мощности	-	3W
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4626ADY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8788TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	Для сравнения