SI4654DY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF8734TRPBF

SI4654DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 1250

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
36.958036 ₽
36.95 ₽
10
34.866044 ₽
348.63 ₽
100
32.892555 ₽
3,289.29 ₽
500
31.030646 ₽
15,515.38 ₽
1000
29.274176 ₽
29,274.18 ₽

Цена за единицу: 36.958036 ₽

Итоговая цена: 36.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4654DY-T1-GE3	иIRF8734TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	28.6A Tc	21A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5.9W Tc	2.5W Ta
Время отключения	50 ns	15 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	HEXFET®
Опубликовано	2014	2009
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Число контактов	8	-
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	30 ns	13 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4m Ω @ 15A, 10V	3.5m Ω @ 21A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3770pF @ 15V	3175pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	100nC @ 10V	30nC @ 4.5V
Время подъема	10ns	16ns
Угол настройки (макс.)	±16V	±20V
Время падения (тип)	10 ns	8 ns
Непрерывный ток стока (ID)	18.6A	21A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	16V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.004Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	25V	30V
Высота	1.5mm	1.4986mm
Длина	5mm	-
Ширина	4mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	12 Weeks
Сопротивление	-	3.5MOhm
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Распад мощности	-	2.5W
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4626ADY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8788TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	Для сравнения