Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4447ADY-T1-GE3 Альтернативные части: FDS8449-F085 ,IRF7241TRPBF
SI4447ADY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 11083
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
91.147802 ₽
91.21 ₽
10
85.988448 ₽
859.89 ₽
100
81.121250 ₽
8,112.09 ₽
500
76.529423 ₽
38,264.70 ₽
1000
72.197596 ₽
72,197.53 ₽
Цена за единицу: 91.147802 ₽
Итоговая цена: 91.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - MOSFET, P-KANAL, DIODE, 40V, 7.2A, SO8 | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 6 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | 8-SO | - | - |
Вес | 506.605978mg | 230.4mg | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 7.2A Tc | 7.6A Ta | 6.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 2 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 4.2W Tc | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 30 ns | 23 ns | 210 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | HEXFET® |
Опубликовано | 2015 | - | 2004 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 7 ns | 9 ns | 24 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 5A, 10V | 29m Ω @ 7.6A, 10V | 41m Ω @ 6.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 970pF @ 20V | 760pF @ 20V | 3220pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 38nC @ 10V | 11nC @ 10V | 80nC @ 10V |
Время подъема | 12ns | 5ns | 280ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | - | 40V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 9 ns | 3 ns | 100 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.2A | 7.6A | -6.2A |
Пороговое напряжение | -1.2V | - | -3V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -40V | 40V | -40V |
Входной ёмкости | 970pF | - | - |
Сопротивление стока к истоку | 45mOhm | - | - |
Rds на макс. | 45 mΩ | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e4 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag) | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.029Ohm | - |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Сопротивление | - | - | 41MOhm |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | -40V |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Моментальный ток | - | - | -6.2A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 30 |
Двухпитание напряжения | - | - | -40V |
Время восстановления | - | - | 48 ns |
Номинальное Vgs | - | - | -3 V |
Высота | - | - | 1.4986mm |
Длина | - | - | 4.9784mm |
Ширина | - | - | 3.9878mm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8449 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS8449-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | Для сравнения |
 | IRF7241TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC | Для сравнения |