SI4447ADY-T1-GE3 Альтернативные части: FDS8449

SI4447ADY-T1-GE3Vishay Siliconix

  • SI4447ADY-T1-GE3Vishay Siliconix
  • FDS8449ON Semiconductor

В наличии: 11083

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    91.147802 ₽

    91.21 ₽

  • 10

    85.988448 ₽

    859.89 ₽

  • 100

    81.121250 ₽

    8,112.09 ₽

  • 500

    76.529423 ₽

    38,264.70 ₽

  • 1000

    72.197596 ₽

    72,197.53 ₽

Цена за единицу: 91.147802 ₽

Итоговая цена: 91.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
VISHAY - SI4447ADY-T1-GE3 - MOSFET, P-KANAL, DIODE, 40V, 7.2A, SO8
Trans MOSFET N-CH 40V 7.6A 8-Pin SOIC N T/R
Срок поставки от производителя
14 Weeks
9 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Поставщик упаковки устройства
8-SO
-
Вес
506.605978mg
130mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
7.2A Tc
7.6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
4.5V 10V
Количество элементов
2
1
Максимальная мощность рассеяния
4.2W Tc
2.5W Ta
Время отключения
30 ns
23 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
PowerTrench®
Опубликовано
2015
2005
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Каналов количество
1
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
2.5W
2.5W
Время задержки включения
7 ns
9 ns
Тип ТРВ
P-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 5A, 10V
29m Ω @ 7.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250μA
3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
970pF @ 20V
760pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
38nC @ 10V
11nC @ 5V
Время подъема
12ns
5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
-
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
Время падения (тип)
9 ns
3 ns
Непрерывный ток стока (ID)
7.2A
7.6A
Пороговое напряжение
-1.2V
1.9V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
-40V
40V
Входной ёмкости
970pF
-
Сопротивление стока к истоку
45mOhm
-
Rds на макс.
45 mΩ
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Покрытие контактов
-
Tin
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e4
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
8
Код ECCN
-
EAR99
Сопротивление
-
29MOhm
Конечная обработка контакта
-
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
40V
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
Моментальный ток
-
7.6A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
SWITCHING
Номинальное Vgs
-
1.9 V
Высота
-
1.5mm
Длина
-
5mm
Ширина
-
4mm