Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4435DY Альтернативные части: IRF7416TRPBF ,FDS8878
SI4435DYON Semiconductor
В наличии: 47
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
146.795934 ₽
146.84 ₽
10
138.486703 ₽
1,384.89 ₽
100
130.647898 ₽
13,064.84 ₽
500
123.252747 ₽
61,626.37 ₽
1000
116.276099 ₽
116,276.10 ₽
Цена за единицу: 146.795934 ₽
Итоговая цена: 146.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 12 Weeks | 18 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 130mg | - | 130mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.8A Ta | 10A Ta | 10.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 42 ns | 59 ns | 45 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerTrench® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2001 | 2005 | 2001 |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 20MOhm | 20mOhm | 14MOhm |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | -30V | 30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -8.8A | -10A | 10.2A |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 16 ns | 18 ns | 9 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 8.8A, 10V | 20m Ω @ 5.6A, 10V | 14m Ω @ 10.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 1V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1604pF @ 15V | 1700pF @ 25V | 897pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 24nC @ 5V | 92nC @ 10V | 26nC @ 10V |
Время подъема | 13.5ns | 49ns | 29ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 25 ns | 60 ns | 18 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -8.8A | -10A | 10.2A |
Пороговое напряжение | -1.7V | -2.04V | 2.5V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V | 30V |
Двухпитание напряжения | -30V | -30V | - |
Номинальное Vgs | -1.7 V | -20 V | 2.5 V |
Высота | 1.57mm | 1.75mm | 1.5mm |
Длина | 4.9mm | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 3.9mm | 3.9878mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | Tin |
Дополнительная Характеристика | - | ULTRA LOW RESISTANCE | - |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 45A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 370 mJ | 57 mJ |
Время восстановления | - | 85 ns | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS8878 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC | Для сравнения |
| IRF9332TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC | Для сравнения |