SI4435DY Альтернативные части: IRF7416TRPBF

SI4435DYON Semiconductor

В наличии: 47

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
146.795934 ₽
146.84 ₽
10
138.486703 ₽
1,384.89 ₽
100
130.647898 ₽
13,064.84 ₽
500
123.252747 ₽
61,626.37 ₽
1000
116.276099 ₽
116,276.10 ₽

Цена за единицу: 146.795934 ₽

Итоговая цена: 146.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4435DY	иIRF7416TRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8.8A Ta	10A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	42 ns	59 ns
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2001	2005
Код JESD-609	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	20MOhm	20mOhm
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-30V	-30V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	-8.8A	-10A
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	16 ns	18 ns
Тип ТРВ	P-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	20m Ω @ 8.8A, 10V	20m Ω @ 5.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1604pF @ 15V	1700pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	24nC @ 5V	92nC @ 10V
Время подъема	13.5ns	49ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	25 ns	60 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-8.8A	-10A
Пороговое напряжение	-1.7V	-2.04V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	-30V
Двухпитание напряжения	-30V	-30V
Номинальное Vgs	-1.7 V	-20 V
Высота	1.57mm	1.75mm
Длина	4.9mm	4.9784mm
Ширина	3.9mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Дополнительная Характеристика	-	ULTRA LOW RESISTANCE
Интервал строк	-	6.3 mm
Каналов количество	-	1
Максимальный импульсный ток вывода	-	45A
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	370 mJ
Время восстановления	-	85 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7416TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC	Для сравнения
FDS8878	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC	Для сравнения
IRF9332TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC	Для сравнения