SI4435DY Альтернативные части: FDS8878 ,IRF9332TRPBF

SI4435DYON Semiconductor

В наличии: 47

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
146.795934 ₽
146.84 ₽
10
138.486703 ₽
1,384.89 ₽
100
130.647898 ₽
13,064.84 ₽
500
123.252747 ₽
61,626.37 ₽
1000
116.276099 ₽
116,276.10 ₽

Цена за единицу: 146.795934 ₽

Итоговая цена: 146.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4435DY	иFDS8878	иIRF9332TRPBF
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC	MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	-
Срок поставки от производителя	18 Weeks	18 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	130mg	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8.8A Ta	10.2A Ta	9.8A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	42 ns	45 ns	73 ns
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerTrench®	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2001	2001	2010
Код JESD-609	e4	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	20MOhm	14MOhm	-
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-30V	30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	-8.8A	10.2A	-
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	16 ns	9 ns	15 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	20m Ω @ 8.8A, 10V	14m Ω @ 10.2A, 10V	17.5m Ω @ 9.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.5V @ 250μA	2.4V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1604pF @ 15V	897pF @ 15V	1270pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	24nC @ 5V	26nC @ 10V	41nC @ 10V
Время подъема	13.5ns	29ns	47ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	25 ns	18 ns	58 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-8.8A	10.2A	9.8A
Пороговое напряжение	-1.7V	2.5V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V	-30V
Двухпитание напряжения	-30V	-	-
Номинальное Vgs	-1.7 V	2.5 V	-
Высота	1.57mm	1.5mm	-
Длина	4.9mm	5mm	-
Ширина	3.9mm	4mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Покрытие контактов	-	Tin	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	57 mJ	-
Конфигурация	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7416TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC	Для сравнения
FDS8878	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC	Для сравнения
IRF9332TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC	Для сравнения