SI4421DY-T1-E3 Альтернативные части: SI4463BDY-T1-GE3 ,SI4403BDY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3Vishay Siliconix

В наличии: 10143

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
270.565055 ₽
270.60 ₽
10
255.250014 ₽
2,552.47 ₽
100
240.801937 ₽
24,080.22 ₽
500
227.171607 ₽
113,585.85 ₽
1000
214.312857 ₽
214,312.91 ₽

Цена за единицу: 270.565055 ₽

Итоговая цена: 270.60 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4421DY-T1-E3	иSI4463BDY-T1-GE3	иSI4403BDY-T1-E3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC	MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V	Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	186.993455mg	186.993455mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	10A Ta	9.8A Ta	7.3A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.8V 4.5V	2.5V 10V	1.8V 4.5V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1.5W Ta	1.5W Ta	1.35W Ta
Время отключения	350 ns	115 ns	150 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2009	2009	2016
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Сопротивление	8.75MOhm	-	17mOhm
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	-	MATTE TIN
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	30
Число контактов	8	-	8
Каналов количество	1	1	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.5W	1.5W	1.35W
Время задержки включения	45 ns	35 ns	25 ns
Тип ТРВ	P-Channel	P-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	8.75m Ω @ 14A, 4.5V	11mOhm @ 13.7A, 10V	17m Ω @ 9.9A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	800mV @ 850μA	1.4V @ 250μA	1V @ 350μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	125nC @ 4.5V	56nC @ 4.5V	50nC @ 5V
Время подъема	90ns	60ns	45ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	20V	-
Угол настройки (макс.)	±8V	±12V	±8V
Время падения (тип)	90 ns	75 ns	45 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-14A	13.7A	7.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	8V	12V	8V
Напряжение пробоя стока к истоку	-20V	-20V	20V
Номинальное Vgs	-800 mV	-	-
Высота	1.55mm	1.55mm	1.55mm
Длина	5mm	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm	4mm
REACH SVHC	Unknown	Unknown	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Поставщик упаковки устройства	-	8-SO	-
Максимальная рабочая температура	-	150°C	-
Минимальная температура работы	-	-55°C	-
Пороговое напряжение	-	-1.4V	-
Сопротивление стока к истоку	-	11mOhm	-
Rds на макс.	-	11 mΩ	-

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6375	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 2.5W; SO8; PowerTrench®	Для сравнения
SI4463BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V	Для сравнения
SI4403BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения