Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4421DY-T1-E3 Альтернативные части: SI4403BDY-T1-E3
SI4421DY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 10143
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
270.565055 ₽
270.60 ₽
10
255.250014 ₽
2,552.47 ₽
100
240.801937 ₽
24,080.22 ₽
500
227.171607 ₽
113,585.85 ₽
1000
214.312857 ₽
214,312.91 ₽
Цена за единицу: 270.565055 ₽
Итоговая цена: 270.60 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC | Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10A Ta | 7.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.8V 4.5V | 1.8V 4.5V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta | 1.35W Ta |
Время отключения | 350 ns | 150 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2009 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 8.75MOhm | 17mOhm |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | MATTE TIN |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 |
Число контактов | 8 | 8 |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.5W | 1.35W |
Время задержки включения | 45 ns | 25 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.75m Ω @ 14A, 4.5V | 17m Ω @ 9.9A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 800mV @ 850μA | 1V @ 350μA |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 125nC @ 4.5V | 50nC @ 5V |
Время подъема | 90ns | 45ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - |
Угол настройки (макс.) | ±8V | ±8V |
Время падения (тип) | 90 ns | 45 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -14A | 7.3A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | 20V |
Номинальное Vgs | -800 mV | - |
Высота | 1.55mm | 1.55mm |
Длина | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | Unknown | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6375 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 2.5W; SO8; PowerTrench® | Для сравнения |
 | SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V | Для сравнения |
| SI4403BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |