Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4421DY-T1-E3 Альтернативные части: SI4403BDY-T1-E3 ,FDS6375
SI4421DY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 10143
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
270.565055 ₽
270.60 ₽
10
255.250014 ₽
2,552.47 ₽
100
240.801937 ₽
24,080.22 ₽
500
227.171607 ₽
113,585.85 ₽
1000
214.312857 ₽
214,312.91 ₽
Цена за единицу: 270.565055 ₽
Итоговая цена: 270.60 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC | Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R | Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 2.5W; SO8; PowerTrench® |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | - | 18 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - | 130mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10A Ta | 7.3A Ta | 8A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.8V 4.5V | 1.8V 4.5V | 2.5V 4.5V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta | 1.35W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 350 ns | 150 ns | 124 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2009 | 2016 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e4 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 8.75MOhm | 17mOhm | 24MOhm |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | MATTE TIN | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 | - |
Число контактов | 8 | 8 | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.5W | 1.35W | 2.5W |
Время задержки включения | 45 ns | 25 ns | 12 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.75m Ω @ 14A, 4.5V | 17m Ω @ 9.9A, 4.5V | 24m Ω @ 8A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 800mV @ 850μA | 1V @ 350μA | 1.5V @ 250μA |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 125nC @ 4.5V | 50nC @ 5V | 36nC @ 4.5V |
Время подъема | 90ns | 45ns | 9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±8V | ±8V | ±8V |
Время падения (тип) | 90 ns | 45 ns | 57 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -14A | 7.3A | 8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | 20V | -20V |
Номинальное Vgs | -800 mV | - | -700 mV |
Высота | 1.55mm | 1.55mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | Unknown | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | -20V |
Моментальный ток | - | - | -8A |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | - | 2694pF @ 10V |
Пороговое напряжение | - | - | -700mV |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 8A |
Двухпитание напряжения | - | - | -20V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6375 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 2.5W; SO8; PowerTrench® | Для сравнения |
 | SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V | Для сравнения |
| SI4403BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |