SI4168DY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF7834TRPBF ,IRF7834PBF

SI4168DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 26145

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
102.661209 ₽
102.61 ₽
10
96.850206 ₽
968.54 ₽
100
91.368091 ₽
9,136.81 ₽
500
86.196360 ₽
43,098.21 ₽
1000
81.317266 ₽
81,317.31 ₽

Цена за единицу: 102.661209 ₽

Итоговая цена: 102.61 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4168DY-T1-GE3	иIRF7834TRPBF	иIRF7834PBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 30V 24A 5.7W	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	12 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	186.993455mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	24A Tc	19A Ta	19A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5.7W Tc	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	30 ns	18 ns	18 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Серия	TrenchFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2013	2004	2004
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	-	-
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	-
Число контактов	8	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	-
Каналов количество	1	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	25 ns	13.7 ns	13.7 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.7m Ω @ 20A, 10V	4.5m Ω @ 19A, 10V	4.5m Ω @ 19A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.25V @ 250μA	2.25V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1720pF @ 15V	3710pF @ 15V	3710pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	44nC @ 10V	44nC @ 4.5V	44nC @ 4.5V
Время подъема	14ns	14.3ns	14.3ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	15 ns	5 ns	5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	24mA	19A	19A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	24A	-	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.0057Ohm	-	0.0045Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Высота	1.5mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	5mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Сопротивление	-	4.5MOhm	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	30V
Моментальный ток	-	19A	19A
Конфигурация элемента	-	-	Single
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	-	25 mJ
Номинальное Vgs	-	-	2.25 V
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7834TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7834PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Для сравнения
SI4842BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	Для сравнения