Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4168DY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF8113GPBF
SI4168DY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 26145
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
102.661209 ₽
102.61 ₽
10
96.850206 ₽
968.54 ₽
100
91.368091 ₽
9,136.81 ₽
500
86.196360 ₽
43,098.21 ₽
1000
81.317266 ₽
81,317.31 ₽
Цена за единицу: 102.661209 ₽
Итоговая цена: 102.61 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 30V 24A 5.7W | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 24A Tc | 17.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta 5.7W Tc | 2.5W Ta |
Время отключения | 30 ns | 17 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube |
Серия | TrenchFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2013 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | - |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Число контактов | 8 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Каналов количество | 1 | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 25 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5.7m Ω @ 20A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1720pF @ 15V | 2910pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 44nC @ 10V | 36nC @ 4.5V |
Время подъема | 14ns | 8.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 15 ns | 3.5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 24mA | 17.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 24A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0057Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Поставщик упаковки устройства | - | 8-SO |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Входной ёмкости | - | 2.91nF |
Сопротивление стока к истоку | - | 7.4mOhm |
Rds на макс. | - | 5.6 mΩ |
Номинальное Vgs | - | 2.2 V |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7834TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7834PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI4842BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| IRF8113GPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Для сравнения |