SI4162DY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 26893
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
89.228901 ₽
89.29 ₽
10
84.178159 ₽
841.76 ₽
100
79.413434 ₽
7,941.35 ₽
500
74.918310 ₽
37,459.20 ₽
1000
70.677637 ₽
70,677.61 ₽
Цена за единицу: 89.228901 ₽
Итоговая цена: 89.29 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | 186.993455mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 19.3A Tc | 17A Tc | 13.6A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta 5W Tc | 2.5W Ta 5W Tc | 2.5W Ta |
Время отключения | 25 ns | 19 ns | 9.7 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~155°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2009 | 2013 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 7.9mOhm | 9.5MOhm | 9.1MOhm |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | 30 |
Число контактов | 8 | 8 | - |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 20 ns | 14 ns | 6.3 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 7.9m Ω @ 20A, 10V | 9.5m Ω @ 10A, 10V | 9.1m Ω @ 13A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.2V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1155pF @ 15V | 985pF @ 15V | 1010pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 30nC @ 10V | 27nC @ 10V | 14nC @ 4.5V |
Время подъема | 15ns | 12ns | 2.7ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 10 ns | 9 ns | 7.3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 13.6A | 17A | 13.6A |
Пороговое напряжение | 1V | 1V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Номинальное Vgs | 1 V | - | 1 V |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.75mm |
Длина | 5mm | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 30V |
Моментальный ток | - | - | 13.6A |
Интервал строк | - | - | 6.3 mm |
Двухпитание напряжения | - | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 44 mJ |
Время восстановления | - | - | 42 ns |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 155°C |