SI4162DY-T1-GE3 Альтернативные части: SI4174DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 26893

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
89.228901 ₽
89.29 ₽
10
84.178159 ₽
841.76 ₽
100
79.413434 ₽
7,941.35 ₽
500
74.918310 ₽
37,459.20 ₽
1000
70.677637 ₽
70,677.61 ₽

Цена за единицу: 89.228901 ₽

Итоговая цена: 89.29 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4162DY-T1-GE3	иSI4174DY-T1-GE3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	186.993455mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	19.3A Tc	17A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5W Tc	2.5W Ta 5W Tc
Время отключения	25 ns	19 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2009	2013
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	7.9mOhm	9.5MOhm
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40
Число контактов	8	8
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	5W	2.5W
Время задержки включения	20 ns	14 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7.9m Ω @ 20A, 10V	9.5m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1155pF @ 15V	985pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	30nC @ 10V	27nC @ 10V
Время подъема	15ns	12ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	10 ns	9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	13.6A	17A
Пороговое напряжение	1V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Номинальное Vgs	1 V	-
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8896	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
SI4174DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7821TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC	Для сравнения