SI4156DY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF8113TRPBF ,IRF8736TRPBF

SI4156DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 3396

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
86.350549 ₽
86.40 ₽
10
81.462816 ₽
814.56 ₽
100
76.851703 ₽
7,685.16 ₽
500
72.501552 ₽
36,250.82 ₽
1000
68.397692 ₽
68,397.66 ₽

Цена за единицу: 86.350549 ₽

Итоговая цена: 86.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4156DY-T1-GE3	иIRF8113TRPBF	иIRF8736TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	506.605978mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	24A Tc	17.2A Ta	18A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 6W Tc	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	25 ns	17 ns	13 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2015	2005	2007
Код JESD-609	e3	-	-
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	6mOhm	5.6MOhm	4.8MOhm
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	-
Число контактов	8	-	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Каналов количество	1	-	-
Конфигурация элемента	Single	-	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	25 ns	13 ns	12 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6m Ω @ 15.7A, 10V	5.6m Ω @ 17.2A, 10V	4.8m Ω @ 18A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.2V @ 250μA	2.2V @ 250μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1700pF @ 15V	2910pF @ 15V	2315pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	42nC @ 10V	36nC @ 4.5V	26nC @ 4.5V
Время подъема	20ns	8.9ns	15ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	15 ns	3.5 ns	7.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	24A	17.2A	18A
Пороговое напряжение	2.2V	2.2V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	16.6A	-
Конфигурация	-	Single	-
Интервал строк	-	6.3 mm	-
Двухпитание напряжения	-	30V	-
Номинальное Vgs	-	2.2 V	1.8 V
Высота	-	1.4986mm	1.4986mm
Длина	-	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	-	3.9878mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	-	No	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS8813NZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
IRF8113TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC	Для сравнения