Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4156DY-T1-GE3 Альтернативные части: FDS8813NZ
SI4156DY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 3396
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
86.350549 ₽
86.40 ₽
10
81.462816 ₽
814.56 ₽
100
76.851703 ₽
7,685.16 ₽
500
72.501552 ₽
36,250.82 ₽
1000
68.397692 ₽
68,397.66 ₽
Цена за единицу: 86.350549 ₽
Итоговая цена: 86.40 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 18 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 506.605978mg | 130mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 24A Tc | 18.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta 6W Tc | 2.5W Ta |
Время отключения | 25 ns | 39 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2015 | 2013 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 6mOhm | 4.5MOhm |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Число контактов | 8 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 25 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 15.7A, 10V | 4.5m Ω @ 18.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.2V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1700pF @ 15V | 4145pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 42nC @ 10V | 76nC @ 10V |
Время подъема | 20ns | 8ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 15 ns | 7 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 24A | 18.5A |
Пороговое напряжение | 2.2V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Завершение | - | SMD/SMT |
Конечная обработка контакта | - | TIN |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | 520 pF |
Высота | - | 1.575mm |
Длина | - | 4.9mm |
Ширина | - | 3.9mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8813NZ | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8736TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | Для сравнения |