SI4128DY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF7403TRPBF ,SI4162DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 6108

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽

Цена за единицу: 94.985604 ₽

Итоговая цена: 94.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4128DY-T1-GE3	иIRF7403TRPBF	иSI4162DY-T1-GE3
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET 30V 10.9A 5.0W	MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	12 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount, Through Hole	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	186.993455mg	-	186.993455mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	10.9A Ta	8.5A Ta	19.3A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.4W Ta 5W Tc	2.5W Ta	2.5W Ta 5W Tc
Время отключения	15 ns	42 ns	25 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	HEXFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2011	1997	2009
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Сопротивление	24mOhm	22mOhm	7.9mOhm
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	-	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	30
Число контактов	8	-	8
Каналов количество	1	-	1
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	5W	2.5W	5W
Время задержки включения	15 ns	10 ns	20 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	24m Ω @ 7.8A, 10V	22m Ω @ 4A, 10V	7.9m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	1V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	435pF @ 15V	1200pF @ 25V	1155pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12nC @ 10V	57nC @ 10V	30nC @ 10V
Время подъема	12ns	37ns	15ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	10 ns	40 ns	10 ns
Непрерывный ток стока (ID)	10.9A	8.5A	13.6A
Пороговое напряжение	1V	1V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Высота	1.5mm	1.4986mm	1.5mm
Длина	5mm	4.9784mm	5mm
Ширина	4mm	3.9878mm	4mm
REACH SVHC	Unknown	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	Tin
Дополнительная Характеристика	-	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	8.5A	-
Интервал строк	-	6.3 mm	-
Максимальный сливовой ток (ID)	-	6.7A	-
Двухпитание напряжения	-	30V	-
Время восстановления	-	78 ns	-
Номинальное Vgs	-	1 V	1 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4162DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7821TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7403TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC	Для сравнения