SI4128DY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 6108
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 30V 10.9A 5.0W | MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10.9A Ta | 13.6A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.4W Ta 5W Tc | 2.5W Ta |
Время отключения | 15 ns | 9.7 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~155°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2011 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 24mOhm | 9.1MOhm |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 |
Число контактов | 8 | - |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 5W | 2.5W |
Время задержки включения | 15 ns | 6.3 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 7.8A, 10V | 9.1m Ω @ 13A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 435pF @ 15V | 1010pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12nC @ 10V | 14nC @ 4.5V |
Время подъема | 12ns | 2.7ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 10 ns | 7.3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 10.9A | 13.6A |
Пороговое напряжение | 1V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Высота | 1.5mm | 1.75mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Завершение | - | SMD/SMT |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V |
Моментальный ток | - | 13.6A |
Интервал строк | - | 6.3 mm |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 44 mJ |
Время восстановления | - | 42 ns |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 155°C |
Номинальное Vgs | - | 1 V |