Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4128DY-T1-E3 Альтернативные части: DMN3024LSS-13 ,IRF7905TRPBF
SI4128DY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 9547
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 30 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | 73.992255mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10.9A Ta | 6.4A Ta | 7.8A 8.9A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | - | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.4W Ta 5W Tc | 1.6W Ta | - |
Время отключения | 15 ns | 16 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | - | HEXFET® |
Опубликовано | 2016 | 2009 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | - | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | - |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 5 ns | 2.9 ns | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 7.8A, 10V | 24mOhm @ 7A, 10V | 21.8m Ω @ 7.8A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.25V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 435pF @ 15V | 608pF @ 15V | 600pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12nC @ 10V | 12.9nC @ 10V | 6.9nC @ 4.5V |
Время подъема | 10ns | 3.3ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | - |
Время падения (тип) | 10 ns | 8 ns | 3.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 10.9A | 8.5A | 8.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.024Ohm | - | 0.0171Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Высота | 1.5mm | - | 1.4986mm |
Длина | 5mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | - | 3.9878mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Поставщик упаковки устройства | - | 8-SO | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Входной ёмкости | - | 608pF | - |
Сопротивление стока к истоку | - | 24mOhm | - |
Rds на макс. | - | 24 mΩ | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Максимальная потеря мощности | - | - | 2W |
Основной номер части | - | - | IRF7905PBF |
Распад мощности | - | - | 2W |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 71A |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7905TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | Для сравнения |
 | DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K | Для сравнения |
| DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | Для сравнения |
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | Для сравнения |