SI4128DY-T1-E3 Альтернативные части: DMG4822SSD-13

SI4128DY-T1-E3Vishay Siliconix

В наличии: 9547

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽

Цена за единицу: 94.985604 ₽

Итоговая цена: 94.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4128DY-T1-E3	иDMG4822SSD-13
Производитель:	Vishay Siliconix	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
Срок поставки от производителя	14 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	10.9A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.4W Ta 5W Tc	-
Время отключения	15 ns	14.6 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	-
Опубликовано	2016	2013
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	8	8
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	5 ns	2.9 ns
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	24m Ω @ 7.8A, 10V	20m Ω @ 8.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	435pF @ 15V	478.9pF @ 16V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12nC @ 10V	10.5nC @ 10V
Время подъема	10ns	7.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	-
Время падения (тип)	10 ns	3.1 ns
Непрерывный ток стока (ID)	10.9A	10A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	25V
Сопротивление открытого канала-макс	0.024Ohm	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	4.95mm
Ширина	4mm	3.95mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Безоловая кодировка	-	yes
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	-	1.42W
Основной номер части	-	DMG4822
Распад мощности	-	1.42W
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V
Максимальный импульсный ток вывода	-	60A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate
REACH SVHC	-	No SVHC
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7905TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC	Для сравнения
DMG4822SSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K	Для сравнения
DMG4466SSSL-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Для сравнения
DMN3024LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO	Для сравнения