Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4128DY-T1-E3 Альтернативные части: DMG4822SSD-13 ,DMG4466SSSL-13
SI4128DY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 9547
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 15 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | 73.992255mg | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10.9A Ta | - | 10A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.4W Ta 5W Tc | - | 1.42W Ta |
Время отключения | 15 ns | 14.6 ns | 14.6 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | - | - |
Опубликовано | 2016 | 2013 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Число контактов | 8 | 8 | 8 |
Каналов количество | 1 | - | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Dual | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 5 ns | 2.9 ns | 2.9 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 7.8A, 10V | 20m Ω @ 8.5A, 10V | 23m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.4V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 435pF @ 15V | 478.9pF @ 16V | 478.9pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12nC @ 10V | 10.5nC @ 10V | 17nC @ 10V |
Время подъема | 10ns | 7.9ns | 7.9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | ±20V |
Время падения (тип) | 10 ns | 3.1 ns | 3.1 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 10.9A | 10A | 10A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 25V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.024Ohm | - | 0.023Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | - |
Длина | 5mm | 4.95mm | - |
Ширина | 4mm | 3.95mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | - | 1.42W | - |
Основной номер части | - | DMG4822 | - |
Распад мощности | - | 1.42W | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 60A | 60A |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7905TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | Для сравнения |
 | DMG4822SSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K | Для сравнения |
| DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | Для сравнения |
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | Для сравнения |