Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4116DY-T1-E3 Альтернативные части: IRF7463TRPBF ,IRF7805ATRPBF
SI4116DY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 1200
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
170.782198 ₽
170.74 ₽
10
161.115247 ₽
1,611.13 ₽
100
151.995577 ₽
15,199.59 ₽
500
143.391992 ₽
71,696.02 ₽
1000
135.275522 ₽
135,275.55 ₽
Цена за единицу: 170.782198 ₽
Итоговая цена: 170.74 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 12 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 18A Tc | 14A Ta | 13A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 10V | 2.7V 10V | 4.5V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta 5W Tc | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 50 ns | 28 ns | 38 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2016 | 2004 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | - | - |
Сопротивление | 8.6MOhm | 8MOhm | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | - |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 13 ns | 16 ns | 16 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.6m Ω @ 10A, 10V | 8m Ω @ 14A, 10V | 11mOhm @ 7A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.4V @ 250μA | 2V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1925pF @ 15V | 3150pF @ 15V | - |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 56nC @ 10V | 51nC @ 4.5V | 31nC @ 5V |
Время подъема | 11ns | 16ns | 20ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 25V | - | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±12V | ±12V |
Время падения (тип) | 15 ns | 6.5 ns | 16 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 12.7A | 14A | 13A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Минимальная напряжённость разрушения | 25V | - | - |
Высота | 1.55mm | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 3.9878mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | 30V |
Моментальный ток | - | 14A | 13A |
Пороговое напряжение | - | 2V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 320 mJ | - |
Номинальное Vgs | - | 2 V | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Поставщик упаковки устройства | - | - | 8-SO |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Сопротивление стока к истоку | - | - | 11mOhm |
Rds на макс. | - | - | 11 mΩ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7455TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7456TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7463TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7805ATRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC | Для сравнения |