SI4116DY-T1-E3 Альтернативные части: IRF7455TRPBF

SI4116DY-T1-E3Vishay Siliconix

В наличии: 1200

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
170.782198 ₽
170.74 ₽
10
161.115247 ₽
1,611.13 ₽
100
151.995577 ₽
15,199.59 ₽
500
143.391992 ₽
71,696.02 ₽
1000
135.275522 ₽
135,275.55 ₽

Цена за единицу: 170.782198 ₽

Итоговая цена: 170.74 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4116DY-T1-E3	иIRF7455TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	18A Tc	15A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	2.5V 10V	2.8V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5W Tc	2.5W Ta
Время отключения	50 ns	51 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	HEXFET®
Опубликовано	2016	2004
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	8.6MOhm	7.5mOhm
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-
Число контактов	8	-
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	17 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	8.6m Ω @ 10A, 10V	7.5m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1925pF @ 15V	3480pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	56nC @ 10V	56nC @ 5V
Время подъема	11ns	18ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	25V	-
Угол настройки (макс.)	±12V	±12V
Время падения (тип)	15 ns	44 ns
Непрерывный ток стока (ID)	12.7A	15A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Минимальная напряжённость разрушения	25V	-
Высота	1.55mm	1.75mm
Длина	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free
Пороговая напряжённость / В	-	30V
Дополнительная Характеристика	-	AVALANCHE RATED
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Моментальный ток	-	15A
Пороговое напряжение	-	2V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V
Двухпитание напряжения	-	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	200 mJ
Время восстановления	-	96 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Номинальное Vgs	-	2 V
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7455TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7456TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7463TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7805ATRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения