SI4116DY-T1-E3 Альтернативные части: IRF7455TRPBF ,IRF7456TRPBF

SI4116DY-T1-E3Vishay Siliconix

В наличии: 1200

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
170.782198 ₽
170.74 ₽
10
161.115247 ₽
1,611.13 ₽
100
151.995577 ₽
15,199.59 ₽
500
143.391992 ₽
71,696.02 ₽
1000
135.275522 ₽
135,275.55 ₽

Цена за единицу: 170.782198 ₽

Итоговая цена: 170.74 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4116DY-T1-E3	иIRF7455TRPBF	иIRF7456TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	186.993455mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	18A Tc	15A Ta	16A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	2.5V 10V	2.8V 10V	2.8V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5W Tc	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	50 ns	51 ns	50 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2016	2004	2008
Код JESD-609	e3	-	-
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	8.6MOhm	7.5mOhm	6.5mOhm
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	-
Число контактов	8	-	-
Каналов количество	1	1	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	17 ns	20 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	8.6m Ω @ 10A, 10V	7.5m Ω @ 15A, 10V	6.5m Ω @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250μA	2V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1925pF @ 15V	3480pF @ 25V	3640pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	56nC @ 10V	56nC @ 5V	62nC @ 5V
Время подъема	11ns	18ns	25ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	25V	-	-
Угол настройки (макс.)	±12V	±12V	±12V
Время падения (тип)	15 ns	44 ns	52 ns
Непрерывный ток стока (ID)	12.7A	15A	16A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V	12V
Минимальная напряжённость разрушения	25V	-	-
Высота	1.55mm	1.75mm	1.4986mm
Длина	5mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm	3.9878mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead, Lead Free	Lead Free
Пороговая напряжённость / В	-	30V	-
Дополнительная Характеристика	-	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	20V
Моментальный ток	-	15A	16A
Пороговое напряжение	-	2V	2V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	20V
Двухпитание напряжения	-	30V	20V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	200 mJ	250 mJ
Время восстановления	-	96 ns	72 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	-
Номинальное Vgs	-	2 V	2 V
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7455TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7456TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7463TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7805ATRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC	Для сравнения