Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI2338DS-T1-GE3 Альтернативные части: SI2366DS-T1-GE3
SI2338DS-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 2181
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
74.837143 ₽
74.86 ₽
10
70.601071 ₽
706.04 ₽
100
66.604766 ₽
6,660.44 ₽
500
62.834698 ₽
31,417.31 ₽
1000
59.278022 ₽
59,278.02 ₽
Цена за единицу: 74.837143 ₽
Итоговая цена: 74.86 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts | SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 1.437803g | 1.437803g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6A Tc | 5.8A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.3W Ta 2.5W Tc | 1.25W Ta 2.1W Tc |
Время отключения | 20 ns | 14 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2012 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Число контактов | 3 | 3 |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.3W | 1.25W |
Время задержки включения | 3 ns | 5 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 5.5A, 10V | 36m Ω @ 4.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 424pF @ 15V | 335pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13nC @ 10V | 10nC @ 10V |
Время подъема | 11ns | 12ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 7 ns | 8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6A | 5.8A |
Пороговое напряжение | 2.5V | 1.2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.028Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 25A | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Номинальное Vgs | - | 1.2 V |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMN3F30FHTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3 | Для сравнения |
 | IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 | Для сравнения |
| DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Для сравнения |
 | SI2366DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23 | Для сравнения |