SI2338DS-T1-GE3 Альтернативные части: IRFML8244TRPBF

SI2338DS-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 2181

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
74.837143 ₽
74.86 ₽
10
70.601071 ₽
706.04 ₽
100
66.604766 ₽
6,660.44 ₽
500
62.834698 ₽
31,417.31 ₽
1000
59.278022 ₽
59,278.02 ₽

Цена за единицу: 74.837143 ₽

Итоговая цена: 74.86 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI2338DS-T1-GE3	иIRFML8244TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts	MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Срок поставки от производителя	14 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	1.437803g	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6A Tc	5.8A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1.3W Ta 2.5W Tc	1.25W Ta
Время отключения	20 ns	9 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	HEXFET®
Опубликовано	2012	2008
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Код соответствия REACH	unknown	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30
Число контактов	3	-
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.3W	1.25W
Время задержки включения	3 ns	2.7 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	28m Ω @ 5.5A, 10V	24m Ω @ 5.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	2.35V @ 10μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	424pF @ 15V	430pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	13nC @ 10V	5.4nC @ 10V
Время подъема	11ns	2.1ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	7 ns	2.9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6A	5.8A
Пороговое напряжение	2.5V	1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	6A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.028Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	25V
Максимальный импульсный ток вывода	25A	24A
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Производитель идентификатор упаковки	-	Micro3
Сопротивление	-	41MOhm
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Время восстановления	-	17 ns
Номинальное Vgs	-	1.7 V
Высота	-	1.02mm
Длина	-	3.04mm
Ширина	-	1.4mm
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXMN3F30FHTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3	Для сравнения
IRFML8244TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23	Для сравнения
DMN3404L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23	Для сравнения
SI2366DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23	Для сравнения