Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI1467DH-T1-GE3 Альтернативные части: SI1922EDH-T1-GE3 ,SI1469DH-T1-GE3
SI1467DH-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 2645
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
41.189217 ₽
41.21 ₽
10
38.857747 ₽
388.60 ₽
100
36.658201 ₽
3,665.80 ₽
500
34.583297 ₽
17,291.62 ₽
1000
32.625728 ₽
32,625.69 ₽
Цена за единицу: 41.189217 ₽
Итоговая цена: 41.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 | VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 7.512624mg | 7.512624mg | 7.512624mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.7A Tc | - | 2.7A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.8V 4.5V | - | 2.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta 2.78W Tc | - | 1.5W Ta 2.78W Tc |
Время отключения | 36 ns | 645 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Digi-Reel® | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2015 | - | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | 30 |
Число контактов | 6 | 6 | 6 |
Каналов количество | 1 | - | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 16 ns | 22 ns | - |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 90m Ω @ 2A, 4.5V | 198m Ω @ 1A, 4.5V | 80m Ω @ 2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 561pF @ 10V | - | 470pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V | 2.5nC @ 8V | 8.5nC @ 4.5V |
Время подъема | 43ns | 80ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±8V | - | ±12V |
Время падения (тип) | 43 ns | 220 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.7A | 1.3A | 3.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 3A | - | 2.7A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.09Ohm | - | 0.08Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | 20V | - | 20V |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | - | 1.25W | - |
Основной номер части | - | SI1922 | - |
Распад мощности | - | 740mW | 1.5W |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Пороговое напряжение | - | 400mV | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 20V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | - |
Высота | - | 1.1mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 8A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | Для сравнения |
 | SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363 | Для сравнения |
| SI1469DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 | Для сравнения |
| SI1469DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 | Для сравнения |