SI1467DH-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 2645
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
41.189217 ₽
41.21 ₽
10
38.857747 ₽
388.60 ₽
100
36.658201 ₽
3,665.80 ₽
500
34.583297 ₽
17,291.62 ₽
1000
32.625728 ₽
32,625.69 ₽
Цена за единицу: 41.189217 ₽
Итоговая цена: 41.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 | VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 7.512624mg | 7.512624mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.7A Tc | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.8V 4.5V | - |
Количество элементов | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta 2.78W Tc | - |
Время отключения | 36 ns | 645 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Digi-Reel® |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2015 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Число контактов | 6 | 6 |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 16 ns | 22 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 90m Ω @ 2A, 4.5V | 198m Ω @ 1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 561pF @ 10V | - |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V | 2.5nC @ 8V |
Время подъема | 43ns | 80ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±8V | - |
Время падения (тип) | 43 ns | 220 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.7A | 1.3A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 3A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.09Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 20V | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | - | 1.25W |
Основной номер части | - | SI1922 |
Распад мощности | - | 740mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Пороговое напряжение | - | 400mV |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 20V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate |
Высота | - | 1.1mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |