SI1467DH-T1-GE3 Альтернативные части: SI1922EDH-T1-GE3

SI1467DH-T1-GE3Vishay Siliconix

  • SI1467DH-T1-GE3Vishay Siliconix
  • SI1922EDH-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 2645

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    41.189217 ₽

    41.21 ₽

  • 10

    38.857747 ₽

    388.60 ₽

  • 100

    36.658201 ₽

    3,665.80 ₽

  • 500

    34.583297 ₽

    17,291.62 ₽

  • 1000

    32.625728 ₽

    32,625.69 ₽

Цена за единицу: 41.189217 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363
Срок поставки от производителя
14 Weeks
14 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
Вес
7.512624mg
7.512624mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
2.7A Tc
-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
1.8V 4.5V
-
Количество элементов
1
2
Максимальная мощность рассеяния
1.5W Ta 2.78W Tc
-
Время отключения
36 ns
645 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Digi-Reel®
Серия
TrenchFET®
TrenchFET®
Опубликовано
2015
-
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Код ECCN
EAR99
EAR99
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
30
Число контактов
6
6
Каналов количество
1
-
Конфигурация элемента
Single
Dual
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения
16 ns
22 ns
Тип ТРВ
P-Channel
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
90m Ω @ 2A, 4.5V
198m Ω @ 1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id
1V @ 250μA
1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
561pF @ 10V
-
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
13.5nC @ 4.5V
2.5nC @ 8V
Время подъема
43ns
80ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
20V
20V
Угол настройки (макс.)
±8V
-
Время падения (тип)
43 ns
220 ns
Непрерывный ток стока (ID)
2.7A
1.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
8V
8V
Максимальный сливовой ток (ID)
3A
-
Сопротивление открытого канала-макс
0.09Ohm
-
Минимальная напряжённость разрушения
20V
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
-
1.25W
Основной номер части
-
SI1922
Распад мощности
-
740mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Пороговое напряжение
-
400mV
Напряжение пробоя стока к истоку
-
20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
Характеристика ТРП
-
Logic Level Gate
Высота
-
1.1mm
REACH SVHC
-
No SVHC