Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI1467DH-T1-GE3 Альтернативные части: SI1469DH-T1-E3 ,BSD840NH6327XTSA1
SI1467DH-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 2645
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
41.189217 ₽
41.21 ₽
10
38.857747 ₽
388.60 ₽
100
36.658201 ₽
3,665.80 ₽
500
34.583297 ₽
17,291.62 ₽
1000
32.625728 ₽
32,625.69 ₽
Цена за единицу: 41.189217 ₽
Итоговая цена: 41.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks | 10 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 7.512624mg | 7.512624mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.7A Tc | 2.7A Tc | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.8V 4.5V | 2.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta 2.78W Tc | 1.5W Ta 2.78W Tc | - |
Время отключения | 36 ns | 22 ns | 7.8 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® | OptiMOS™ |
Опубликовано | 2015 | 2014 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | NOT SPECIFIED |
Число контактов | 6 | 6 | 6 |
Каналов количество | 1 | 1 | 2 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 16 ns | 5 ns | 1.9 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 90m Ω @ 2A, 4.5V | 80m Ω @ 2A, 10V | 400m Ω @ 880mA, 2.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 750mV @ 1.6μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 561pF @ 10V | 470pF @ 10V | 78pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.5nC @ 4.5V | 8.5nC @ 4.5V | 0.26nC @ 2.5V |
Время подъема | 43ns | 20ns | 2.2ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V | - |
Угол настройки (макс.) | ±8V | ±12V | - |
Время падения (тип) | 43 ns | 9 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.7A | 1.6A | 880mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 12V | 8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 3A | 3.2A | 3.5A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.09Ohm | - | 0.4Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | 20V | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Сопротивление | - | 80mOhm | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Распад мощности | - | 1.5W | 500mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Пороговое напряжение | - | -1.5V | 550mV |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | -20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 8A | - |
Высота | - | 1mm | 1mm |
Длина | - | 2mm | 2mm |
Ширина | - | 1.25mm | 1.25mm |
REACH SVHC | - | Unknown | - |
Дополнительная Характеристика | - | - | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Максимальная потеря мощности | - | - | 500mW |
Основной номер части | - | - | BSD840 |
Без галогенов | - | - | Halogen Free |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | - | 20V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSD840NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | Для сравнения |
 | SI1922EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | VISHAY - SI1922EDH-T1-GE3 - MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363 | Для сравнения |
| SI1469DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 | Для сравнения |
| SI1469DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 | Для сравнения |