SGW23N60UFDTM Альтернативные части: NGB18N40CLBT4 ,IRGS4610DPBF

SGW23N60UFDTMON Semiconductor

В наличии: 38400

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
97.023475 ₽
96.98 ₽
10
91.531580 ₽
915.25 ₽
100
86.350549 ₽
8,635.03 ₽
500
81.462816 ₽
40,731.46 ₽
1000
76.851703 ₽
76,851.65 ₽

Цена за единицу: 97.023475 ₽

Итоговая цена: 96.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGW23N60UFDTM	иNGB18N40CLBT4	иIRGS4610DPBF
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 23A 100W D2PAK	Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	IGBT 600V 16A 77W D2PAK
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов	3	3	3
Поставщик упаковки устройства	D2PAK	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	430V	600V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	23A	-	-
Условия испытания	300V, 12A, 23Ohm, 15V	-	400V, 6A, 47 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-40°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	400V	-
Максимальная потеря мощности	100W	115W	77W
Моментальный ток	12A	18A	-
Основной номер части	SG*23N60	NG*18N40CL	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	100W	115W	-
Входной тип	Standard	Logic	Standard
Мощность - Макс	100W	-	77W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.5V	2V
Максимальный ток сбора	23A	18A	16A
Время обратной рекомпенсации	42 ns	-	74 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	600V	-	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 12A	2.5V @ 4V, 15A	2V @ 15V, 6A
Зарядная мощность	49nC	-	13nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	92A	50A	18A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	17ns/60ns	-	27ns/75ns
Переключаемый энергопотребление	115μJ (on), 135μJ (off)	-	56μJ (on), 122μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	Non-RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	-
Количество элементов	-	1	-
Опубликовано	-	2010	2001
Код JESD-609	-	e0	e3
Количество выводов	-	2	-
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Tin/Lead (Sn80Pb20)	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Форма вывода	-	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	240	260
Код соответствия REACH	-	not_compliant	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	30
Число контактов	-	4	-
Код JESD-30	-	R-PSSO-G2	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Сокетная связка	-	COLLECTOR	-
Применение транзистора	-	AUTOMOTIVE IGNITION	-
Время подъема	-	4.5ns	-
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Время включения	-	5200 ns	-
Время выключения (toff)	-	13000 ns	-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	18V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	1.9V	6.5V
Время падения максимальное (tf)	-	15000ns	-
Вес	-	-	260.39037mg
Высота	-	-	4.83mm
Длина	-	-	10.67mm
Ширина	-	-	9.65mm
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGB20N6S2	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 28A 125W TO263AB	Для сравнения
NGB18N40CLBT4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения
IRGS4610DPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 16A 77W D2PAK	Для сравнения
FGB20N6S2D	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 28A 125W TO263AB	Для сравнения