SGW23N60UFDTM Альтернативные части: IRGS4610DPBF

SGW23N60UFDTMON Semiconductor

В наличии: 38400

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
97.023475 ₽
96.98 ₽
10
91.531580 ₽
915.25 ₽
100
86.350549 ₽
8,635.03 ₽
500
81.462816 ₽
40,731.46 ₽
1000
76.851703 ₽
76,851.65 ₽

Цена за единицу: 97.023475 ₽

Итоговая цена: 96.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGW23N60UFDTM	иIRGS4610DPBF
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 23A 100W D2PAK	IGBT 600V 16A 77W D2PAK
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов	3	3
Поставщик упаковки устройства	D2PAK	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	23A	-
Условия испытания	300V, 12A, 23Ohm, 15V	400V, 6A, 47 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-40°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-
Минимальная температура работы	-55°C	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	-
Максимальная потеря мощности	100W	77W
Моментальный ток	12A	-
Основной номер части	SG*23N60	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	100W	-
Входной тип	Standard	Standard
Мощность - Макс	100W	77W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2V
Максимальный ток сбора	23A	16A
Время обратной рекомпенсации	42 ns	74 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	600V	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 12A	2V @ 15V, 6A
Зарядная мощность	49nC	13nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	92A	18A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	17ns/60ns	27ns/75ns
Переключаемый энергопотребление	115μJ (on), 135μJ (off)	56μJ (on), 122μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Вес	-	260.39037mg
Опубликовано	-	2001
Код JESD-609	-	e3
Код ECCN	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	6.5V
Высота	-	4.83mm
Длина	-	10.67mm
Ширина	-	9.65mm
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGB20N6S2	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 28A 125W TO263AB	Для сравнения
NGB18N40CLBT4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения
IRGS4610DPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 16A 77W D2PAK	Для сравнения
FGB20N6S2D	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 28A 125W TO263AB	Для сравнения