SGW23N60UFDTM Альтернативные части: IRGS4610DPBF ,FGB20N6S2D

SGW23N60UFDTMON Semiconductor

В наличии: 38400

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
97.023475 ₽
96.98 ₽
10
91.531580 ₽
915.25 ₽
100
86.350549 ₽
8,635.03 ₽
500
81.462816 ₽
40,731.46 ₽
1000
76.851703 ₽
76,851.65 ₽

Цена за единицу: 97.023475 ₽

Итоговая цена: 96.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGW23N60UFDTM	иIRGS4610DPBF	иFGB20N6S2D
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 23A 100W D2PAK	IGBT 600V 16A 77W D2PAK	IGBT 600V 28A 125W TO263AB
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов	3	3	3
Поставщик упаковки устройства	D2PAK	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	23A	-	-
Условия испытания	300V, 12A, 23Ohm, 15V	400V, 6A, 47 Ω, 15V	390V, 7A, 25 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-40°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	-	600V
Максимальная потеря мощности	100W	77W	125W
Моментальный ток	12A	-	28A
Основной номер части	SG*23N60	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	100W	-	125W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	100W	77W	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2V	2.7V
Максимальный ток сбора	23A	16A	28A
Время обратной рекомпенсации	42 ns	74 ns	31 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	600V	-	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 12A	2V @ 15V, 6A	2.7V @ 15V, 7A
Зарядная мощность	49nC	13nC	30nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	92A	18A	40A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	17ns/60ns	27ns/75ns	7.7ns/87ns
Переключаемый энергопотребление	115μJ (on), 135μJ (off)	56μJ (on), 122μJ (off)	25μJ (on), 58μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Вес	-	260.39037mg	-
Опубликовано	-	2001	2002
Код JESD-609	-	e3	-
Код ECCN	-	EAR99	-
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	-
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	6.5V	-
Высота	-	4.83mm	-
Длина	-	10.67mm	-
Ширина	-	9.65mm	-
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Время подъема	-	-	4.5ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGB20N6S2	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 28A 125W TO263AB	Для сравнения
NGB18N40CLBT4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения
IRGS4610DPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 16A 77W D2PAK	Для сравнения
FGB20N6S2D	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 28A 125W TO263AB	Для сравнения