SGP13N60UFDTU Альтернативные части: IRG4IBC20UDPBF ,SGS13N60UFDTU

SGP13N60UFDTUON Semiconductor

В наличии: 9495

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
141.223063 ₽
141.21 ₽
10
133.229299 ₽
1,332.28 ₽
100
125.688022 ₽
12,568.82 ₽
500
118.573599 ₽
59,286.81 ₽
1000
111.861854 ₽
111,861.81 ₽

Цена за единицу: 141.223063 ₽

Итоговая цена: 141.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGP13N60UFDTU	иIRG4IBC20UDPBF	иSGS13N60UFDTU
Производитель:	ON Semiconductor	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail	IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP	IGBT 600V 13A 45W TO220F
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Вес	1.8g	2.299997g	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	-
Условия испытания	300V, 6.5A, 50 Ω, 15V	480V, 6.5A, 50 Ω, 15V	300V, 6.5A, 50 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Код JESD-609	e3	-	-
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Not For New Designs	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	-	-
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING	-	-
Код ТН ВЭД	8541.29.00.95	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	60W	34W	45W
Моментальный ток	6.5A	11.4A	6.5A
Основной номер части	SG*13N60	-	SG*13N60
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	60W	34W	45W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	MOTOR CONTROL	POWER CONTROL	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.1V	600V
Максимальный ток сбора	13A	11.4A	13A
Время обратной рекомпенсации	37 ns	37 ns	55ns
Код JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB	-
Время включения	62 ns	55 ns	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 6.5A	2.1V @ 15V, 6.5A	2.6V @ 15V, 6.5A
Время выключения (toff)	253 ns	320 ns	-
Зарядная мощность	25nC	27nC	25nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	52A	52A	52A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	20ns/70ns	39ns/93ns	20ns/70ns
Переключаемый энергопотребление	85μJ (on), 95μJ (off)	160μJ (on), 130μJ (off)	85μJ (on), 95μJ (off)
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	16 Weeks	-
Количество контактов	-	3	3
Опубликовано	-	2003	-
Завершение	-	Through Hole	-
Сокетная связка	-	ISOLATED	-
Время подъема	-	17ns	-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	6V	-
Время падения максимальное (tf)	-	170ns	-
Высота	-	16.129mm	-
Длина	-	10.7442mm	-
Ширина	-	4.826mm	-
REACH SVHC	-	No SVHC	-

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HGTP7N60B3D	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 14A 60W TO220AB	Для сравнения
IRG4IBC20UDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP	Для сравнения
SGS13N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 13A 45W TO220F	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения