Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SGP13N60UFDTU Альтернативные части: HGTP7N60B3D
SGP13N60UFDTUON Semiconductor
В наличии: 9495
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
141.223063 ₽
141.21 ₽
10
133.229299 ₽
1,332.28 ₽
100
125.688022 ₽
12,568.82 ₽
500
118.573599 ₽
59,286.81 ₽
1000
111.861854 ₽
111,861.81 ₽
Цена за единицу: 141.223063 ₽
Итоговая цена: 141.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail | IGBT 600V 14A 60W TO220AB |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | TO-220-3 |
Вес | 1.8g | 1.8g |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 300V, 6.5A, 50 Ω, 15V | 480V, 7A, 50 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Not For New Designs | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | - |
Дополнительная Характеристика | LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING | - |
Код ТН ВЭД | 8541.29.00.95 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | 600V |
Максимальная потеря мощности | 60W | 60W |
Моментальный ток | 6.5A | 14A |
Основной номер части | SG*13N60 | HGTP7N60 |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 60W | 60W |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | MOTOR CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 13A | 14A |
Время обратной рекомпенсации | 37 ns | 37ns |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | - |
Время включения | 62 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 6.5A | 2.1V @ 15V, 7A |
Время выключения (toff) | 253 ns | - |
Зарядная мощность | 25nC | 23nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 52A | 56A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 20ns/70ns | 26ns/130ns |
Переключаемый энергопотребление | 85μJ (on), 95μJ (off) | 160μJ (on), 120μJ (off) |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Количество контактов | - | 3 |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HGTP7N60B3D | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 14A 60W TO220AB | Для сравнения |
 | IRG4IBC20UDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 11.4A 34W TO220FP | Для сравнения |
 | SGS13N60UFDTU | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 13A 45W TO220F | Для сравнения |
 | STGF14NC60KD | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | Для сравнения |