S1DB-13-F Альтернативные части: S1MB-13-F ,S1A

S1DB-13-FDiodes Incorporated

  • S1DB-13-FDiodes Incorporated
  • S1MB-13-FDiodes Incorporated
  • S1AON Semiconductor

В наличии: 3123

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.605495 ₽

    4.67 ₽

  • 10

    4.344808 ₽

    43.41 ₽

  • 100

    4.098874 ₽

    409.89 ₽

  • 500

    3.866868 ₽

    1,933.38 ₽

  • 1000

    3.647981 ₽

    3,647.94 ₽

Цена за единицу: 4.605495 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
иS1AS1A
Производитель:
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB
DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
DO-214AA, SMB
DO-214AA, SMB
DO-214AC, SMA
Количество контактов
2
2
2
Вес
92.986436mg
92.986436mg
106mg
Материал диодного элемента
SILICON
SILICON
-
Количество элементов
1
1
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2012
2010
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
no
no
-
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
-
Завершение
SMD/SMT
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-65°C
-65°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
-
Код ТН ВЭД
8541.10.00.80
8541.10.00.80
-
Капацитивность
10pF
10pF
6.6pF
Ток постоянного напряжения - номинальный
200V
1kV
50V
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
C BEND
C BEND
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Моментальный ток
1A
1A
1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Основной номер части
S1D
S1M
S1A
Число контактов
2
2
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Скорость
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип диода
Standard
Standard
Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
5μA @ 200V
5μA @ 1000V
1μA @ 50V
Ток выпуска
1A
1A
1A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
1.1V @ 1A
1.1V @ 1A
1.1V @ 1A
Напряжённая мощность
1A
1A
1A
Температура работы - переходная
-65°C~150°C
-65°C~150°C
-55°C~150°C
Максимальный импульсный ток
30A
30A
40A
Напряжение включения
1.1V
1.1V
1.1V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)
200V
1kV
50V
Средний выпрямленный ток
1A
1A
1A
Время обратной рекомпенсации
3 μs
3 μs
1.8 μs
Пиковая обратная токовая сила
5μA
5μA
1μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
200V
1kV
50V
Емкость @ Vr, Ф
10pF @ 4V 1MHz
10pF @ 4V 1MHz
12pF @ 4V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток
30A
30A
30A
Время восстановления
1.8 μs
1.8 μs
1.8 μs
Обратная напряжение (DC)
200V
1kV
-
Высота
2.42mm
2.5mm
2.5mm
Длина
4.57mm
4.57mm
-
Ширина
3.94mm
3.94mm
5.28mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Максимальное обратное напряжение (Вр)
-
1000V
50V
Обратная напряжение
-
1kV
50V
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
-
30A
30A
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
150°C
Состояние жизненного цикла
-
-
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Поставщик упаковки устройства
-
-
SMA (DO-214AC)
Направленность
-
-
Standard
Распад мощности
-
-
1.4W
Ток - Средний прямоугольный
-
-
1A
REACH SVHC
-
-
No SVHC