S1DB-13-FDiodes Incorporated
В наличии: 3123
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.605495 ₽
4.67 ₽
10
4.344808 ₽
43.41 ₽
100
4.098874 ₽
409.89 ₽
500
3.866868 ₽
1,933.38 ₽
1000
3.647981 ₽
3,647.94 ₽
Цена за единицу: 4.605495 ₽
Итоговая цена: 4.67 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | DIODE GEN PURP 200V 1A SMB | DIODE GEN PURP 100V 1A SMB |
Срок поставки от производителя | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB |
Количество контактов | 2 | 2 |
Вес | 92.986436mg | 92.986436mg |
Материал диодного элемента | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | no | no |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -65°C | -65°C |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Код ТН ВЭД | 8541.10.00.80 | 8541.10.00.80 |
Капацитивность | 10pF | 10pF |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 200V | 100V |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | C BEND | C BEND |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 1A | 1A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | S1D | S1B |
Число контактов | 2 | 2 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Тип диода | Standard | Standard |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | 5μA @ 200V | 5μA @ 100V |
Ток выпуска | 1A | 1A |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | 1.1V @ 1A | 1.1V @ 1A |
Напряжённая мощность | 1A | 1A |
Температура работы - переходная | -65°C~150°C | -65°C~150°C |
Максимальный импульсный ток | 30A | 30A |
Напряжение включения | 1.1V | 1.1V |
Максимальное обратное напряжение (постоянное) | 200V | 100V |
Средний выпрямленный ток | 1A | 1A |
Время обратной рекомпенсации | 3 μs | 3 μs |
Пиковая обратная токовая сила | 5μA | 5μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | 200V | 100V |
Емкость @ Vr, Ф | 10pF @ 4V 1MHz | 10pF @ 4V 1MHz |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | 30A | 30A |
Время восстановления | 1.8 μs | 1.8 μs |
Обратная напряжение (DC) | 200V | 100V |
Высота | 2.42mm | 2.5mm |
Длина | 4.57mm | 4.57mm |
Ширина | 3.94mm | 3.94mm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Обратная напряжение | - | 100V |
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm) | - | 30A |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |