S1DB-13-F Альтернативные части: S1A ,S1GB-13-F

S1DB-13-FDiodes Incorporated

  • S1DB-13-FDiodes Incorporated
  • S1AON Semiconductor
  • S1GB-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 3123

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    4.605495 ₽

    4.67 ₽

  • 10

    4.344808 ₽

    43.41 ₽

  • 100

    4.098874 ₽

    409.89 ₽

  • 500

    3.866868 ₽

    1,933.38 ₽

  • 1000

    3.647981 ₽

    3,647.94 ₽

Цена за единицу: 4.605495 ₽

Итоговая цена: 4.67 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
иS1AS1A
Производитель:
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
DO-214AA, SMB
DO-214AC, SMA
DO-214AA, SMB
Количество контактов
2
2
2
Вес
92.986436mg
106mg
92.986436mg
Материал диодного элемента
SILICON
-
SILICON
Количество элементов
1
-
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2010
2009
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
no
-
no
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
-
2
Завершение
SMD/SMT
-
SMD/SMT
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-65°C
-55°C
-65°C
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД
8541.10.00.80
-
8541.10.00.80
Капацитивность
10pF
6.6pF
10pF
Ток постоянного напряжения - номинальный
200V
50V
400V
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
C BEND
-
C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
1A
1A
1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Основной номер части
S1D
S1A
S1G
Число контактов
2
-
2
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Скорость
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип диода
Standard
Standard
Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
5μA @ 200V
1μA @ 50V
5μA @ 400V
Ток выпуска
1A
1A
1A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
1.1V @ 1A
1.1V @ 1A
1.1V @ 1A
Напряжённая мощность
1A
1A
1A
Температура работы - переходная
-65°C~150°C
-55°C~150°C
-65°C~150°C
Максимальный импульсный ток
30A
40A
30A
Напряжение включения
1.1V
1.1V
1.1V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)
200V
50V
400V
Средний выпрямленный ток
1A
1A
1A
Время обратной рекомпенсации
3 μs
1.8 μs
3 μs
Пиковая обратная токовая сила
5μA
1μA
5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
200V
50V
400V
Емкость @ Vr, Ф
10pF @ 4V 1MHz
12pF @ 4V 1MHz
10pF @ 4V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток
30A
30A
30A
Время восстановления
1.8 μs
1.8 μs
1.8 μs
Обратная напряжение (DC)
200V
-
400V
Высота
2.42mm
2.5mm
2.42mm
Длина
4.57mm
-
4.57mm
Ширина
3.94mm
5.28mm
3.94mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
-
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Поставщик упаковки устройства
-
SMA (DO-214AC)
-
Направленность
-
Standard
-
Распад мощности
-
1.4W
-
Максимальное обратное напряжение (Вр)
-
50V
-
Ток - Средний прямоугольный
-
1A
-
Обратная напряжение
-
50V
-
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
-
30A
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-