RN4603(TE85L,F) Альтернативные части: RN1602(TE85L,F) ,RN4606(TE85L,F)

RN4603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.878571 ₽
8.93 ₽
10
8.376016 ₽
83.79 ₽
100
7.901896 ₽
790.25 ₽
500
7.454615 ₽
3,727.34 ₽
1000
7.032665 ₽
7,032.69 ₽

Цена за единицу: 8.878571 ₽

Итоговая цена: 8.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN4603(TE85L,F)	иRN1602(TE85L,F)	иRN4606(TE85L,F)
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V
Срок поставки от производителя	12 Weeks	11 Weeks	11 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457
Количество контактов	6	6	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	70	50	80
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2010	2014
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	300mW
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Направленность	NPN, PNP	NPN	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	70 @ 10mA 5V	50 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	200MHz 250MHz	250MHz	200MHz 250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	10V	5V
База (R1)	22k Ω	10k Ω	4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	22k Ω	10k Ω	47k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Максимальная рабочая температура	-	150°C	-
Минимальная температура работы	-	-55°C	-
Корпусировка на излучение	-	No	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DCX124EK-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R	Для сравнения
RN4602TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R	Для сравнения
RN1602(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R	Для сравнения
RN4606(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V	Для сравнения