Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN4603(TE85L,F) Альтернативные части: RN4602TE85LF
RN4603(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.878571 ₽
8.93 ₽
10
8.376016 ₽
83.79 ₽
100
7.901896 ₽
790.25 ₽
500
7.454615 ₽
3,727.34 ₽
1000
7.032665 ₽
7,032.69 ₽
Цена за единицу: 8.878571 ₽
Итоговая цена: 8.93 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 11 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 70 | 50 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2014 | 2011 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 70 @ 10mA 5V | 50 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 200MHz 250MHz | 200MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | 10V |
База (R1) | 22k Ω | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22k Ω | 10k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DCX124EK-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R | Для сравнения |
 | RN4602TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |
| RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |
| RN4606(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V | Для сравнения |