Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN2711(TE85L,F) Альтернативные части: UMA4NTR
RN2711(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
20.677885 ₽
20.74 ₽
10
19.507445 ₽
195.05 ₽
100
18.403242 ₽
1,840.38 ₽
500
17.361552 ₽
8,680.77 ₽
1000
16.378819 ₽
16,378.85 ₽
Цена за единицу: 20.677885 ₽
Итоговая цена: 20.74 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SOT-353 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 100 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2012 |
Состояние изделия | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Мощность - Макс | 200mW | - |
Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 400 @ 1mA 5V | - |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 200MHz | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | - |
База (R1) | 10k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 5 |
Код JESD-609 | - | e2 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 5 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | DIGITAL |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -50V |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Число контактов | - | 5 |
Распад мощности | - | 150mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Частота перехода | - | 250MHz |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | 100 |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.3 V |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMA5NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |
 | RN2702TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV | Для сравнения |
| UMA4NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |
| UMA9NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |