RN2711(TE85L,F) Альтернативные части: RN2702TE85LF

RN2711(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
20.677885 ₽
20.74 ₽
10
19.507445 ₽
195.05 ₽
100
18.403242 ₽
1,840.38 ₽
500
17.361552 ₽
8,680.77 ₽
1000
16.378819 ₽
16,378.85 ₽

Цена за единицу: 20.677885 ₽

Итоговая цена: 20.74 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN2711(TE85L,F)	иRN2702TE85LF
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	120	50
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2014
Состояние изделия	Discontinued	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Код соответствия REACH	unknown	-
Направленность	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Мощность - Макс	200mW	200mW
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	400 @ 1mA 5V	50 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	200MHz	200MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-5V	-10V
База (R1)	10k Ω	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-100mA	-100mA
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Резистор - Эмиттер-База (R2)	-	10k Ω

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMA5NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5	Для сравнения
RN2702TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV	Для сравнения
UMA4NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-353	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5	Для сравнения
UMA9NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5	Для сравнения