RN2315TE85LF Альтернативные части: RN2318(TE85L,F) ,DTA023YUBTL

RN2315TE85LFToshiba Semiconductor and Storage

  • RN2315TE85LFToshiba Semiconductor and Storage
  • RN2318(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
  • DTA023YUBTLROHM Semiconductor

В наличии: 1910

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.459272 ₽

    5.49 ₽

  • 500

    4.014148 ₽

    2,007.14 ₽

  • 1000

    3.345124 ₽

    3,345.05 ₽

  • 2000

    3.068901 ₽

    6,137.77 ₽

  • 5000

    2.868187 ₽

    14,340.93 ₽

  • 10000

    2.668036 ₽

    26,680.36 ₽

  • 15000

    2.580343 ₽

    38,705.22 ₽

  • 50000

    2.537170 ₽

    126,858.52 ₽

Цена за единицу: 5.459272 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SC85
Срок поставки от производителя
12 Weeks
12 Weeks
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC
Количество контактов
3
3
85
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
-
1
Минимальная частота работы в герцах
50
50
35
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
2014
2016
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-
Максимальная потеря мощности
100mW
100mW
200mW
Основной номер части
RN231*
RN231*
-
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
100mW
100mW
-
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
150mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
50 @ 10mA 5V
50 @ 10mA 5V
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 250μA, 5mA
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
200MHz
200MHz
-
База (R1)
2.2 k Ω
47 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-100mA
-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
10 k Ω
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество выводов
-
-
3
Дополнительная Характеристика
-
-
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.5
Положение терминала
-
-
DUAL
Форма вывода
-
-
FLAT
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-F3
Выводной напряжение
-
-
-70mV
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Максимальная частота
-
-
250MHz
Частота перехода
-
-
250MHz
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
-
35
Без свинца
-
-
Lead Free