Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN2315TE85LF Альтернативные части: RN2318(TE85L,F)
RN2315TE85LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 1910
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.459272 ₽
5.49 ₽
500
4.014148 ₽
2,007.14 ₽
1000
3.345124 ₽
3,345.05 ₽
2000
3.068901 ₽
6,137.77 ₽
5000
2.868187 ₽
14,340.93 ₽
10000
2.668036 ₽
26,680.36 ₽
15000
2.580343 ₽
38,705.22 ₽
50000
2.537170 ₽
126,858.52 ₽
Цена за единицу: 5.459272 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 50 | 50 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 100mW |
Основной номер части | RN231* | RN231* |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 100mW | 100mW |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 50 @ 10mA 5V | 50 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 200MHz | 200MHz |
База (R1) | 2.2 k Ω | 47 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 10 k Ω |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA023YUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SC85 | Для сравнения |
 | RN2314(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
| RN2316(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
| RN2318(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R | Для сравнения |