RN1964FE(TE85L,F) Альтернативные части: RN1965FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 3870

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
13.432308 ₽
13.46 ₽
10
12.671937 ₽
126.79 ₽
100
11.954753 ₽
1,195.47 ₽
500
11.278049 ₽
5,639.01 ₽
1000
10.639629 ₽
10,639.56 ₽

Цена за единицу: 13.432308 ₽

Итоговая цена: 13.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1964FE(TE85L,F)	иRN1965FE(TE85L,F)
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	80
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2014
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	5V
База (R1)	47k Ω	2.2k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Код соответствия REACH	-	unknown

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC123JH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения
RN1965FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения
RN1966FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения
DCX123JH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	Для сравнения