Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN1964FE(TE85L,F) Альтернативные части: DDC123JH-7
RN1964FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 3870
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
13.432308 ₽
13.46 ₽
10
12.671937 ₽
126.79 ₽
100
11.954753 ₽
1,195.47 ₽
500
11.278049 ₽
5,639.01 ₽
1000
10.639629 ₽
10,639.56 ₽
Цена за единицу: 13.432308 ₽
Итоговая цена: 13.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2004 |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 150mW |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | - |
База (R1) | 47k Ω | 2.2k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 47k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 19 Weeks |
Количество контактов | - | 6 |
Вес | - | 3.005049mg |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Форма вывода | - | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Основной номер части | - | DDC123 |
Число контактов | - | 6 |
Частота перехода | - | 250MHz |
Высота | - | 600μm |
Длина | - | 1.6mm |
Ширина | - | 1.2mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDC123JH-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563 | Для сравнения |
 | RN1965FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |
| RN1966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |
| DCX123JH-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | Для сравнения |