RN1905,LF(CT Альтернативные части: RN1907,LF(CT ,RN1906,LF(CT

RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
15.918269 ₽
15.93 ₽
10
15.017239 ₽
150.14 ₽
100
14.167198 ₽
1,416.76 ₽
500
13.365288 ₽
6,682.69 ₽
1000
12.608764 ₽
12,608.79 ₽

Цена за единицу: 15.918269 ₽

Итоговая цена: 15.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1905,LF(CT	иRN1907,LF(CT	иRN1906,LF(CT
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поставщик упаковки устройства	US6	-	US6
Вес	6.010099mg	6.010099mg	6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	100mA	-	100mA
Минимальная частота работы в герцах	80	80	80
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014	2014
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Направленность	NPN	NPN	NPN
Мощность - Макс	200mW	-	200mW
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	50V	-	50V
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V	5V
База (R1)	2.2kOhms	10k Ω	4.7kOhms
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47kOhms	47k Ω	47kOhms
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
RN4984,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
RN1907,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	Для сравнения
RN1906,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
UMD2NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения