RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.918269 ₽
15.93 ₽
10
15.017239 ₽
150.14 ₽
100
14.167198 ₽
1,416.76 ₽
500
13.365288 ₽
6,682.69 ₽
1000
12.608764 ₽
12,608.79 ₽
Цена за единицу: 15.918269 ₽
Итоговая цена: 15.93 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Поставщик упаковки устройства | US6 | - |
Вес | 6.010099mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 56 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2008 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW |
Направленность | NPN | NPN, PNP |
Мощность - Макс | 200mW | - |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - |
База (R1) | 2.2kOhms | 22k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 30mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47kOhms | 22k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Покрытие контактов | - | Copper, Tin |
Количество контактов | - | 6 |
Количество элементов | - | 2 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | 30mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Основной номер части | - | *MD2 |
Число контактов | - | 6 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Конфигурация элемента | - | Dual |
Распад мощности | - | 150mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Частота перехода | - | 250MHz |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.3 V |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |