RN1905,LF(CT Альтернативные части: UMD2NTR

RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage

  • RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
  • UMD2NTRROHM Semiconductor

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    15.918269 ₽

    15.93 ₽

  • 10

    15.017239 ₽

    150.14 ₽

  • 100

    14.167198 ₽

    1,416.76 ₽

  • 500

    13.365288 ₽

    6,682.69 ₽

  • 1000

    12.608764 ₽

    12,608.79 ₽

Цена за единицу: 15.918269 ₽

Итоговая цена: 15.93 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Срок поставки от производителя
12 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поставщик упаковки устройства
US6
-
Вес
6.010099mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
100mA
-
Минимальная частота работы в герцах
80
56
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
2008
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
Направленность
NPN
NPN, PNP
Мощность - Макс
200mW
-
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
56 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
50V
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-
База (R1)
2.2kOhms
22k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
30mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47kOhms
22k Ω
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Покрытие контактов
-
Copper, Tin
Количество контактов
-
6
Количество элементов
-
2
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
6
Код ECCN
-
EAR99
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Моментальный ток
-
30mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
Основной номер части
-
*MD2
Число контактов
-
6
Максимальный выходной ток
-
100mA
Входной напряжение питания
-
50V
Конфигурация элемента
-
Dual
Распад мощности
-
150mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Частота перехода
-
250MHz
Максимальное напряжение на выходе
-
0.3 V
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free