RN1412TE85LF Альтернативные части: RN1416,LF ,RN1404S,LF

RN1412TE85LFToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.152253 ₽
5.22 ₽
500
3.788393 ₽
1,894.23 ₽
1000
3.156978 ₽
3,157.01 ₽
2000
2.896387 ₽
5,792.72 ₽
5000
2.706896 ₽
13,534.48 ₽
10000
2.517981 ₽
25,179.81 ₽
15000
2.435179 ₽
36,527.75 ₽
50000
2.394505 ₽
119,725.27 ₽

Цена за единицу: 5.152253 ₽

Итоговая цена: 5.22 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1412TE85LF	иRN1416,LF	иRN1404S,LF
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k
Срок поставки от производителя	11 Weeks	12 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Минимальная частота работы в герцах	120	50	-
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014	2014
Состояние изделия	Discontinued	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	50V	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 1mA 5V	50 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	7V	-
База (R1)	22 k Ω	4.7 kOhms	47 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Количество контактов	-	3	59
Поставщик упаковки устройства	-	S-Mini	-
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	100mA	-
Максимальная рабочая температура	-	150°C	-
Минимальная температура работы	-	-55°C	-
Мощность - Макс	-	200mW	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	50V	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-	50V	-
Резистор - Эмиттер-База (R2)	-	10 kOhms	47 k Ω
Высота	-	1.1mm	-
Длина	-	2.9mm	-
Ширина	-	1.5mm	-
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Количество выводов	-	-	3
Дополнительная Характеристика	-	-	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Положение терминала	-	-	DUAL
Форма вывода	-	-	GULL WING
Основной номер части	-	-	RN140*
Код JESD-30	-	-	R-PDSO-G3
Конфигурация	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Распад мощности	-	-	200mW
Применение транзистора	-	-	SWITCHING
Частота перехода	-	-	250MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
RN1416,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	Для сравнения
RN1404S,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k	Для сравнения
DTC125TKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	Для сравнения
DTC144GKAT146	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3	Для сравнения