Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN1412TE85LF Альтернативные части: RN1404S,LF
RN1412TE85LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 3000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.152253 ₽
5.22 ₽
500
3.788393 ₽
1,894.23 ₽
1000
3.156978 ₽
3,157.01 ₽
2000
2.896387 ₽
5,792.72 ₽
5000
2.706896 ₽
13,534.48 ₽
10000
2.517981 ₽
25,179.81 ₽
15000
2.435179 ₽
36,527.75 ₽
50000
2.394505 ₽
119,725.27 ₽
Цена за единицу: 5.152253 ₽
Итоговая цена: 5.22 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k |
Срок поставки от производителя | 11 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | - |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2014 |
Состояние изделия | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | - |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - |
База (R1) | 22 k Ω | 47 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 59 |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Количество выводов | - | 3 |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Основной номер части | - | RN140* |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G3 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Распад мощности | - | 200mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Частота перехода | - | 250MHz |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47 k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN1416,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI | Для сравнения |
| RN1404S,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k | Для сравнения |
 | DTC125TKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |
| DTC144GKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |